2018年3月28日上午，北京航天航空大学物理与核能工程学院郝维昌教授在物电学院三楼学术报告厅学院师生作了题为“与缺陷共舞”的学术报告。报告中，郝维昌教授为我们介绍了表面原子失配、表面极化、表面非晶化、表面掺杂与杂质吸附、表面空位及复合空位等对半导体材料的电子结构、光谱吸收及光生电子空穴的激发、迁移和复合的过程的重要影响。系统、深入的研究了BiOBr纳米片中内应力、黄色BiOCl中标面缺陷态的形成、黑色TiO2中非晶层及氧空位的形成及其对电子结构和性能的影响及规律。

郝维昌于2015年入选北京航天航空大学青年拔尖人才计划，先任中国核物理学会正电子谱学专业委员会副主任，现为中国物理学会会员、美国物理学会会员、美国化学学会会员。2012年获教育部自然科学二等奖(排名第3)。在国内外重要学术会议作特邀报告30余次。在PRB、Adv. Mater.、J. Mater. Chem. A、J. Phys. Chem. C等杂志上发表论文100余篇，论文被他人引用1300余次。获得7项国家发明专利授权。主要的研究兴趣为氧化物材料电子结构，氧化物材料在环境及能源领域中的应用，二维纳米结构及器件。